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  • 發(fā)布時(shí)間:2017-07-10

    單道掃描型波長(zhǎng)色散X射線(xiàn)熒光光譜儀從儀器的硬件與軟件在許多細(xì)節(jié)都進(jìn)行了改進(jìn),使得儀器的可靠性與可操作性更進(jìn)一步提高,增加了微區(qū)分布成像分析功能,從而達(dá)到更高水平的程度。儀器利用高次譜線(xiàn)進(jìn)行準(zhǔn)確的定性/定量分析,高次譜線(xiàn)的判定更加準(zhǔn)確,提高了定性定量分析的準(zhǔn)確度/可靠性。利用單道掃描型波長(zhǎng)色散X射線(xiàn)熒光光譜儀測(cè)定高分子薄膜的膜厚與無(wú)機(jī)成分分析的背景基本參數(shù)法;使用單道掃描型波長(zhǎng)色散X射線(xiàn)熒光光譜儀進(jìn)行的膜厚測(cè)定、薄膜測(cè)定實(shí)例。對(duì)應(yīng)于液體、粉末、固體、金屬、氧化物等不同形態(tài)的樣品...

  • 發(fā)布時(shí)間:2017-06-07

    xrf分析儀曲線(xiàn)漂移的原因分析:1.要把漂移的原因搞清楚,是xrf分析儀(參數(shù))原因還是環(huán)境(氣、電、溫度等);熔融法做類(lèi)標(biāo),風(fēng)險(xiǎn)稍大,熔融法不象直讀光譜,標(biāo)樣穩(wěn)定,且基體大多情況不一致。2.雖說(shuō)對(duì)于熔融法,類(lèi)型標(biāo)準(zhǔn)化沒(méi)有什么理論根據(jù),但有時(shí)確實(shí)起到很好的效果,并不是不可用,但要確認(rèn)儀器本身正常且穩(wěn)定。對(duì)于校正xrf分析儀漂移的試樣,要看強(qiáng)度值有多高,如果單點(diǎn)校正的強(qiáng)度值過(guò)低,可能會(huì)出現(xiàn)較大的問(wèn)題,單點(diǎn)漂移校正的強(qiáng)度接近曲線(xiàn)的上端強(qiáng)度,相對(duì)誤差會(huì)小一些,用兩點(diǎn)校正儀器漂移。曲...

  • 發(fā)布時(shí)間:2017-04-24

    工業(yè)X射線(xiàn)衍射儀適合工業(yè)環(huán)境中的游離硅及石棉的定性/定量分析。X射線(xiàn)衍射術(shù)是一種應(yīng)用于材料分析的高科技無(wú)損檢測(cè)方法,可以采用這種方法進(jìn)行分析研究的材料范圍非常廣泛,包括流體、金屬、礦物、聚合物、催化劑、塑料、藥物、薄膜鍍層、陶瓷、太陽(yáng)能電池和半導(dǎo)體等。X射線(xiàn)衍射方法的應(yīng)用遍及工業(yè)和科研院所,現(xiàn)已成為一種*的材料研究表征和質(zhì)量控制手段。具體應(yīng)用范圍包括定性和定量相分析、晶體分析、結(jié)構(gòu)解析、織構(gòu)和殘余應(yīng)力分析、受控樣品環(huán)境、微區(qū)衍射、納米材料、實(shí)驗(yàn)和過(guò)程的自動(dòng)控制以及高處理量多形...

  • 發(fā)布時(shí)間:2017-03-24

    過(guò)去對(duì)環(huán)境的評(píng)估只能依賴(lài)于在實(shí)驗(yàn)室對(duì)從現(xiàn)場(chǎng)采集并運(yùn)送到實(shí)驗(yàn)室的樣件所做的分析,現(xiàn)如今xrf分析儀的出現(xiàn),能夠在現(xiàn)場(chǎng)直接對(duì)環(huán)境進(jìn)行評(píng)估,經(jīng)濟(jì)及時(shí)有效。xrf分析儀對(duì)于環(huán)境檢測(cè)有非比尋常的意義,主要包括以下幾個(gè)方面:1、社區(qū)與居住區(qū)域的發(fā)展xrf分析儀可以在瞬間辨別出土壤中重金屬極低的百萬(wàn)分率含量,在整修學(xué)校、社區(qū)中心、住宅、游樂(lè)場(chǎng)及運(yùn)動(dòng)場(chǎng)或者是垃圾填埋場(chǎng)、工業(yè)場(chǎng)址、果園、飼養(yǎng)場(chǎng)等地方,它都是一件*的工具。2、城市周邊地區(qū)的農(nóng)業(yè)及農(nóng)藝學(xué)隨著世界人口的增長(zhǎng),食物來(lái)源的安全性也變得越...

  • 發(fā)布時(shí)間:2017-02-24

    x射線(xiàn)衍射操作實(shí)驗(yàn)樣品制備要求如下:1.金屬樣品如塊狀、板狀、圓拄狀要求磨成一個(gè)平面,面積不小于15x20毫米,如果面積太小可以用幾塊粘貼一起。2.對(duì)于片狀、圓拄狀樣品會(huì)存在嚴(yán)重的擇優(yōu)取向,衍射強(qiáng)度異常。因此要求測(cè)試時(shí)合理選擇相應(yīng)的方向平面。3.對(duì)于測(cè)量金屬樣品的微觀(guān)應(yīng)力(晶格畸變),測(cè)量殘余奧氏體,要求樣品不能簡(jiǎn)單粗磨,要求制備成金相樣品,并進(jìn)行普通拋光或電解拋光,消除表面應(yīng)變層。4.粉末樣品要求磨成-320目的粒度,約40微米。粒度粗大衍射強(qiáng)度底,峰形不好,分辨率低。要了...

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